美东时间8月14日，闪迪收盘大涨7.39%。此前一天，在投资者日上放出重磅利好，闪迪股价大涨13.67%，市值攀升至约2277亿美元；西部数据、SK海力士同步大涨超7%，美光科技涨幅亦超4%，费城半导体指数受提振上涨0.46%。
市场对美联储加息预期降温与闪迪超预期长期财务指引成为两大核心催化因素。
股价暴涨背后，提前“埋伏”的公募私募赚得“盆满钵满”。华夏、富国、工银瑞信等公募QDII早已将闪迪列为前十大重仓；高毅资产、但斌旗下东方港湾等私募巨头二季度精准加仓，成功卡位这轮存储行情。
四只公募QDII集体重仓
国内多只公募QDII基金早已将闪迪纳入核心持仓。华夏基金李湘杰旗下华夏全球科技先锋混合（QDII）二季度对闪迪增仓43.66%，持仓约4.08万股，闪迪跃升为该基金第一大重仓股。
浦银安盛全球智能科技（QDII）二季度同样将闪迪新增为第一大重仓股，持仓占比达9.52%。工银新经济混合（QDII）第一大重仓股亦为闪迪，持仓占比达9.94%。富国全球科技互联网股票（QDII）前十大重仓股中新增闪迪，持仓约6万股。
从调仓逻辑来看，多家QDII基金在二季度将英伟达等前期热门标的调出前十，转而将闪迪等存储龙头纳入核心仓位，或表明基金经理们正从“AI算力龙头”向“AI基础设施上游”延伸配置，存储芯片正成为继GPU之后最受关注的AI硬件赛道。
华夏基金对《华夏时报》记者表示，外盘杀的是“高位AI硬件估值泡沫”，A股调的是“内部结构”。资金从高位存储撤离，但没有离开半导体，而是流向了确定性更强、位置更低、成长空间更大的上游环节：设备、材料、先进封装。
工银瑞信基金对《华夏时报》记者表示，从周期性视角来看，存储作为典型的大宗标品，供给端具有厂商少、扩产保守且周期长的特征，而AI带来的需求增长则具有较强刚性。在AI需求的推动下，只要AI需求保持大幅上行，存储需求就难言见顶，其上行周期有望持续。
高毅加仓、东方港湾押注
私募排排网数据显示，高毅资产将英伟达列入二季度减持股名单，减持比例高达72.41%，持股降至8万股，持股市值约1601万美元。与此同时，高毅将台积电加仓至第一大重仓股，持仓占比24%，二季度继续加仓11.64%，持股市值约2.38亿美元。存储芯片方向，美光科技加仓幅度高达283.48%，持股市值约3973万美元，位列第六大重仓股；闪迪加仓比例为192.02%，持股市值约3638万美元，位列第七大重仓股。
二季度，但斌执掌的东方港湾对英伟达做了15.70%的小幅减持，持股降至约108万股，持股市值约2.17亿美元，仍为第三大重仓股，占组合13%。与此同时，东方港湾二季度新进了英特尔、闪迪、超威半导体（AMD）、迈威尔科技、ArmHoldings、博通等芯片股，其中英特尔持仓占比16%，位列第二大重仓股；闪迪持仓占比11%，位列第四大重仓股；AMD持仓占比8.90%，位列第六大重仓股。美光科技亦获102.09%的大幅增持，持仓占比10%，位列第五大重仓股。前十大持仓中芯片股占据七席，在此次调仓中，东方港湾几乎清仓了苹果、特斯拉等非AI资产。
从更宏观的视角看，美国银行最新预测，2026年科技基金净流入有望达到2160亿美元，远超2015年以来各年度的总和。经历7月底的大规模去杠杆后，部分华尔街机构认为，由去杠杆引发的机械性卖压已近枯竭，系统性加仓或将重新开始。
北京时间8月14日当天，但斌在微博发文称：“闪迪今日的大幅上涨，源于2026投资者大会释放的重磅基本面指引：NBM长期合约重构行业周期逻辑、HBF（高带宽闪存）下一代AI存储技术打开推理市场空间，同时给出极高的中长期盈利目标，市场正在重新定价存储赛道。大概率存储的底部出现了，小荷刚露尖尖角。”
ETF扎堆配置
此外，闪迪作为AI存储赛道的核心标的，已广泛进入各类宽基和策略ETF的配置组合。在境内市场，多只跟踪标普500指数的跨境ETF将闪迪纳入持仓，包括标普500ETF南方（513650.SH）、标普500ETF博时（513500.SH）、标普500ETF华夏（159655.SZ）和标普500ETF国泰（159612.SZ）。
Wind数据显示，截至二季度末，闪迪机构投资者持股合计约1.47亿股，占总股本比例达99.26%，机构持仓高度集中。从股东类型来看，一般法人持股约36.84%，投资顾问持股约19.31%，公募基金公司合计持股约10.62%，私募基金公司合计持股约8.01%，QFII持股约3.35%。
具体来看，在持有闪迪的公募基金公司中，先锋领航集团（VanguardGroup）以1318.37万股的持股规模位居首位，持股比例达8.90%，期末参考市值约568.56亿元，但二季度减持了2185.77万股，减持幅度达15.01%。
大同证券首席投顾张诚对《华夏时报》记者表示，AI算力狂飙引发“存储荒”，供需缺口持续扩大。AI大模型从训练向推理阶段扩张，带来了海量的存储需求。目前高带宽内存（HBM）的爆火“吞噬”了大量先进晶圆产能，导致通用DRAM和NAND闪存的有效供给增量十分有限，因此存储的景气度有望继续持续到明年。
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